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IRF7421D1
Power Mosfet Characteristics
1000
800
V GS = 0V, f = 1MHz
C iss =C gs +C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
20
16
I D = 4.1A
V DS = 24V
V DS = 15V
C iss
600
400
200
C oss
C rss
12
8
4
FOR TEST CIRCUIT
0
A
0
SEE FIGURE 9
A
1
10
100
0
5
10
15
20
25
30
100
10
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 9. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 10. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
P DM
1
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
t 1
t 2
Notes:
1. Duty factor D = t 1 / t 2
0.1
2. Peak T J = P DM x Z thJA + T A
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 9. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
www.irf.com
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